本文以Banba结构为基础，进行了适当的改进，提高了电路的PPM，使用TSMC35mm工艺，设计了一个帯隙基准电路。电路性能如表5.1。

　　表5.1 帯隙基准电路性能

　　电源电压 5V 温度范围 -50℃-100℃ 功耗 1.61mW 输出电压 1.80V 温度系数 3.508ppm/℃ PSRR -40dB

　　帯隙基准电路的整体结构比较简单，使用的结构也是常见的方式。设计的关键是调节电路参数，优化温度系数，尽量减小PPM。另外放大器和启动电路的设计也是整个电路的关键部分，自启动电路电路是以前未曾接触过的内容。

　　存在问题：

　　1) .电路的电源抑制比PSRR不是很大，只有-40dB。根据参考文献中的分析，可以达到-100dB。但是通过扫描电路参数，始终无法得到更大的电源抑制比。经过分析，可能的原因是放大器的性能限制了电源抑制比，因为设计开始时对放大器的性能考虑不够多。

　　2) .本文采用的Banba结构仍然属于一阶帯隙基准电路，虽然PPM已经达到性能要求，但是现在已经有二阶温度补偿帯隙基准电路结构，原理是引入一股与温度成平方关系的电流，既补偿了低温阶段的基准电压，又补偿了高温阶段的基准电压，大大提高了基准电压源随温度变化的稳定性。二阶温度补偿帯隙基准电路可以很好的控制基准电压的温度系数，增大电源抑制比，由于时间限制没有进行设计。

　　3) .电路的输出电压随着电源电压的上升比较缓慢，这个从图4.8中就可以看出来，没有达到理想的快速上升。 哪里有射频培训机构