1.Banba结构的原理

　　图3.1为Banba结构的完整电路结构图。

　　图 3.1 Banba 结构完整电路图

　　组成：第一部分为启动电路，主要由MSA，MSB，MSC三个管子的性能来决定电路的自启动；第二部分为放大器，采用二级Mille电路，并且从带隙部分获得偏置电流；第三部分为电路核心的带隙部分。

　　Banba结构的特点：

　　1) .在传统的带隙基准电路中（如之前介绍的基本结构），输出电压Vref在1.25V左右，这就限制了电源电压在1V以下的应用，而这个结构的Vref通过两个电流的和在电阻上的压降来实现：一个电流与三极管的VBE成正比，另一个与VT成正比，产生的基准电流通过MOS管M3镜像到输出电流，再通过输出负载电阻R4决定输出参考电压（在保证MOS管正常工作的范围内），方便改变所需产生的电压值；

　　2) .放大器中采用Miller补偿可以增加稳定性，采用PMOS管作为差分输入。由于放大器在电路中起的作用是保证1、2电压的相等，对核心部分没有影响，所以此结构仍是Banba的思想；

　　3) .启动电路使电路节点处于简并状态时也可以自动进入正常工作状态，其自启动

　　方法是采用一个额外的脉冲来实现的。虽然增加了元件数，却能使制造和启动过程简化许多。

　　具体分析：

　　为了便于分析，图3.2是Banba结构电路的基本结构。

　　图 3.2 Banba 结构带隙基准

　　图3.2中，假设M1，M2，M3管的宽长比相同，则有：

　　(3.1)

　　由于运放的作用，，所以

　　(3.2)

　　那么基准电压Vref就可以得到，

　　(3.3)

　　与式(2.9)相比，只要调节R4/R2的比值，就可以方便的调节基准电压的值。同时也可以推导出此时Vref的温度系数： 哪里有射频培训机构