2. Banba结构的参数设计

　　2.1 帯隙部分的设计

　　T=300K时，Is=4.3e-18A，，。取n=100，R3=100K，

　　(3.5)

　　(3.6)

　　代入式(2.6)得到，。由式(3.4)，令，所以

　　(3.7)

　　(3.8)

　　n=100，R3=100K时，得到R2=422K。所以：

　　(3.9)

　　要求Vref=1.8V，则R4=633K。

　　流过MOS管的电流为：

　　(3.10)

　　M1，M2，M3管的尺寸： 哪里有射频培训机构